Научен тим од Институтот за наука во Токио претстави мемориски чип кој ја потресува една од најдлабоко вкоренетите претпоставки во полупроводничката индустрија, дека помалите димензии неизбежно значат и послаби перформанси.
Наместо класичниот тренд на деградација при минијатуризација, овој нов пристап покажува спротивен ефект: колку повеќе се намалува структурата, толку поефикасно работи уредот.
Во суштината на ова технолошко решение се наоѓа хафниум оксид: материјал кој задржува фероелектрични својства дури и кога се работи на екстремно нано ниво. Благодарение на тоа, истражувачите успеале да развијат фероелектрични тунелски споеви, во кои информацијата се кодира преку прецизно управување со електричниот проток низ материјалот.
Експерименталната структура, со големина од само 25 нанометри, претставува сериозен инженерски предизвик. На оваа скала, електронското „истекување“ низ границите на кристалите обично ја нарушува стабилноста и ефикасноста на уредите. Но наместо да се борат против овој проблем на традиционален начин, научниците одлучиле да го искористат во своја корист.
Со редизајн на електродите во полукружна форма и дополнително намалување на димензиите, тие успеале да создадат структура со речиси единствен кристален распоред, каде што границите меѓу зрната се сведени на минимум. Резултатот е значително намалување на енергетските загуби и стабилно функционирање на екстремно мало ниво.
Ова истражување, предводено од професорот Јутака Мајима, не само што демонстрира технички пробив, туку и директно ги предизвикува долгогодишните правила според кои минијатуризацијата има свои природни граници.
Импликациите се значајни. Од паметни телефони кои трошат значително помалку енергија, до носливи уреди со драматично продолжен век на батерија, па сè до побрзи и поефикасни системи за вештачка интелигенција, потенцијалот за примена е широк. Дополнителен плус е тоа што хафниум оксид веќе е компатибилен со постоечките производствени процеси, што ја прави можноста за комерцијализација далеку пореална.
